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一、本專案為推動國內學界與產業共同投入寬能隙材料和元件研究，培育基礎材料、元件和系統應用人才，並於寬能隙材料和元件發展中，結合矽基元件技術和產業，持續開發自主領先技術，為我國產業在下世代寬能隙半導體奠定基礎。

二、本專案計畫的研究項目分成兩個分項：

(一)B5G/6G高頻通訊關鍵半導體技術：目標是利用氮化鎵(GaN)及磷化銦（InP）等化合物半導體材料的優勢，達成比目前主要商用元件更高輸出功率密度及更高操作頻率，計畫規劃應於sub-THz/THz頻段，滿足未來B5G/6G通訊系統需求。

(二)下世代寬能隙高壓功率半導體技術：計畫目標包含(1)關鍵製程開發，例如高溫離子佈值、寬能隙材料蝕刻、低電阻歐姆接觸等、(2)創新場平板、super junction及edge termination的設計製作達到優化電場分布、(3)開發高壓化合物半導體大尺寸基板及磊晶技術、元件封裝及熱效應優化、培養相關元件設計與模型建立能力、(4)可靠度評估分析及元件特性模型化。徵求重點說明如來文附件。

三、本計畫每年度申請總額度以不超過2,200萬元為原則，計畫應規劃四年(111年5月1日至115年4月30日止)，經審查通過後，核定補助二年，採分年核定多年期計畫。

科技部計畫徵求專區公告：https://www.most.gov.tw/folksonomy/rfpList

四、請欲申請單位於111年1月21日（五）下班前備齊計畫書等相關文件專簽提報，經督導副所長核閱同意提案申請。

申請科技部計畫注意事項：https://drive.iner.gov.tw/d/f/591790567472544682

1.若「首次申請」科技部計畫之計畫主持人及「首次執行」科技部計畫之參與研究人員，請務必至「臺灣學術倫理教育資源中心」完成研習相關學術倫理課程。

2.計畫規劃時請依本所執行政府單位補助、委辦、技轉技服計畫管理費及業務費支援全所水電費編列規定辦理。